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MMDF2C03HD
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
N ? Channel
P ? Channel
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = 1 A
T J = 25 ° C
0
2
3
4 5
6 7
8
9
10
0
0
1
2 3 4
5 6 7 8
9
10
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
0.08
T J = 25 ° C
0.30
T J = 25 ° C
0.25
0.07
V GS = 4.5
0.20
V GS = 4.5 V
0.06
10 V
0.15
10 V
0.05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.10
0
0.5
1
1.5 2
2.5 3
3.5
4
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
V GS = 10 V
1.6
V GS = 10 V
1.5
I D = 1.5 A
1.4
I D = 2 A
1.2
1.0
1.0
0.5
0.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
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